一种制备交叉结构有机分子器件的方法

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专利名称 一种制备交叉结构有机分子器件的方法 申请号 CN200710062984.6 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN101232077 公开(授权)日 2008.07.30 申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所 发明(设计)人 涂德钰;刘明;谢常青;朱效力;贾锐 主分类号 H01L51/00(2006.01)I IPC主分类号 H01L51/00(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I 专利有效期 一种制备交叉结构有机分子器件的方法 至一种制备交叉结构有机分子器件的方法 法律状态 授权 说明书摘要 本发明涉及微电子学与分子电子学中的微细加工技术领域,公开了一 种制备交叉结构有机分子器件的方法,该方法包括:A.在基片表面上淀 积电介质薄膜;B.在电介质薄膜表面上旋涂抗蚀剂,利用X射线光刻和 显影在抗蚀剂上得到电极图形;C.淀积金属,剥离得到下电极金属图形; D.生长有机分子薄膜;E.淀积上电极金属材料;F.旋涂抗蚀剂,X射 线光刻并显影,得到上电极图形;G.以抗蚀剂为掩蔽刻蚀,得到上电极; H.去胶,完成交叉有机分子器件的制备。利用本发明,有效地改善了交 叉结构有机分子器件的制备。

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