| 专利名称 | 单结铟镓氮太阳能电池结构及制作方法 | 申请号 | CN200710062978.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101232050 | 公开（授权）日 | 2008.07.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 王晓亮;肖红领;杨翠柏;胡国新;冉学军;王翠梅;张小宾;李建平;李晋闽 | 主分类号 | H01L31/042(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/042(2006.01)I;H01L31/068(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 单结铟镓氮太阳能电池结构及制作方法 至单结铟镓氮太阳能电池结构及制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种单结铟镓氮太阳能电池结构，其特征在于， 其中包括：一衬底；一低温氮化镓成核层，该低温氮 化镓成核层制作在衬底的上面，该成核层可增加衬底 表面的成核密度；一非有意掺杂氮化镓缓冲层，该非 有意掺杂氮化镓缓冲层制作在低温氮化镓成核层的上 面，该缓冲层可减少外延层的缺陷密度，提高晶体质 量；一n型掺杂InxGa1-xN层，该n型掺杂InxGa1-xN 层制作在非有意掺杂高阻氮化镓缓冲层的上面，该n 型掺杂层是InxGa1-xN p-n结的一部分；一p型掺杂 InxGal-xN层，该p型掺杂InxGa1-xN层制作在n型掺 杂InxGa1-xN层的上面，该p型掺杂层是InxGa1-xN p-n 结的一部分。 |
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