| 专利名称 | 高密度相变存储器的结构与制备的工艺 | 申请号 | CN200810033926.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101232038 | 公开（授权）日 | 2008.07.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 宋志棠;刘波;宝民;丁晟;刘卫丽;封松林 | 主分类号 | H01L27/24(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/24(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I | 专利有效期 | 高密度相变存储器的结构与制备的工艺 至高密度相变存储器的结构与制备的工艺 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及到相变存储芯片(PCRAM)的高密度相变存储单元结构、三维 电路设计布局与制造工艺流程。本发明为了实现PCRAM芯片存储阵列的高密 度，通过三维立体布局设计，把基于CMOS(互补金属氧化物半导体)工艺的 外围电路放在存储阵列的下面，上述外围电路晶片通过CMP(化学机械抛光) 工艺实现平坦化。对P型或N型硅片进行外延技术形成N/P(或P/N)结，通 过对准装置实现该硅片与上述CMOS硅片的低温键合，通过晶片剥离技术或背 面减薄的技术实现CMOS片上的整片N/P(或P/N)结，接着在其之上制备可 逆相变电阻，之后采用Cu互联，最后通过常规的封装技术实现整个芯片；从 而整体实现三维立体1R1D芯片结构。 |
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