| 专利名称 | 生长氮化铟单晶薄膜的方法 | 申请号 | CN200710062979.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101230487 | 公开（授权）日 | 2008.07.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 王晓亮;肖红领;胡国新;杨翠柏;冉学军;王翠梅;张小宾;李建平;李晋闽 | 主分类号 | C30B29/38(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/38(2006.01)I;C30B25/00(2006.01)I | 专利有效期 | 生长氮化铟单晶薄膜的方法 至生长氮化铟单晶薄膜的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明一种生长氮化铟单晶薄膜的方法，其特征 在于，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2： 采用金属有机物化学气相沉积技术在衬底上生长一层 成核层，该成核层可增加衬底表面的成核密度；步骤 3：采用金属有机物化学气相沉积技术在成核层上生 长一层缓冲层，该缓冲层可减少外延层的缺陷密度， 提高晶体质量；步骤4：采用金属有机物化学气相沉 积技术在缓冲层上生长氮化铟单晶薄膜，该氮化铟单 晶薄膜表面平整，晶体质量高。 |
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