| 专利名称 | 一种去除紫外吸收的含铝光学晶体的生长方法 | 申请号 | CN200710086512.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101230485 | 公开（授权）日 | 2008.07.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 陈创天;刘丽娟;李如康;王晓洋 | 主分类号 | C30B29/22(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/22(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种去除紫外吸收的含铝光学晶体的生长方法 至一种去除紫外吸收的含铝光学晶体的生长方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种去除紫外吸收的含铝光学晶体生长方法，将高纯度含Al、B和M化合物与 NaF混配后置入坩埚中，M为K、Na、Rb、Ca、Sr、Ba、Y或Yb；升温至完全熔 化；转移至密闭的还原性气体氛围生长炉中生长；在饱和温度以上5～20℃引入籽 晶，恒温10～30分钟后，降至饱和温度；待晶体长至所需尺度，使晶体脱离液面， 以不大于30℃/h速率降至室温，取出晶体。该方法采用高纯度原料并在还原性气体 氛围中生长晶体，有效地消除了晶体在紫外区域的非本征吸收，266nm吸收系数降 至0.1cm-1以下，为在Nd-基激光四倍频266nm和频193nm谐波光输出器件的应 用扫清了障碍。 |
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