| 专利名称 | 掺碳蓝宝石晶体的生长方法 | 申请号 | CN200710047628.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101230484 | 公开（授权）日 | 2008.07.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明（设计）人 | 杨新波;徐军;李红军;赵广军;周国清;苏良碧 | 主分类号 | C30B29/20(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/20(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I | 专利有效期 | 掺碳蓝宝石晶体的生长方法 至掺碳蓝宝石晶体的生长方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 一种掺碳蓝宝石晶体的生长方法，特点是采用导向温梯法生长α-Al2O3:C 晶体，工艺流程如下：①称取一定质量的α-Al2O3，在其中加入100～5000ppm 的石墨，充分搅拌混合均匀；②在温梯炉钼坩埚籽晶槽处放入定向蓝宝石籽 晶，将混合好的粉料均匀放入坩埚内，盖上坩埚盖；③装炉，抽真空至5× 10-3Pa，持续升温至2080℃，恒温0.5～1小时，然后以3～5℃/小时的速率降 温到室温，打开炉罩，取出晶体。本发明方法直接生长的α-Al2O3:C晶体具有 优良的热释光性能，晶体质量良好，可以用于制造高灵敏度的热释光探测器。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障