| 专利名称 | 一种氧化石墨烯还原制备石墨烯材料的方法 | 申请号 | CN201010199086.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102275902A | 公开（授权）日 | 2011.12.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院金属研究所 | 发明（设计）人 | 杜金红;裴嵩峰;赵金平;任文才;成会明 | 主分类号 | C01B31/04(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B31/04(2006.01)I | 专利有效期 | 一种氧化石墨烯还原制备石墨烯材料的方法 至一种氧化石墨烯还原制备石墨烯材料的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及石墨烯材料领域，具体为一种新的氧化石墨烯(GrapheneOxide，GO)还原制备石墨烯材料的方法，适用于各种基于氧化石墨烯的粉体和薄膜材料的还原。将氧化石墨烯制品在以氢碘酸、氢溴酸和氯化亚砜等为代表的卤化试剂中、-5到140℃的温度范围内浸泡10秒～24小时，取出干燥后即可完成对氧化石墨烯材料的还原，还原后得到的石墨烯材料具有优异的导电性并可保持薄膜制品的柔韧性。本发明方法简单、易控，可实现氧化石墨烯材料的低温、高效、大量、低成本还原，解决现有技术中存在的环境污染、成本高等问题。 |
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