| 专利名称 | 一种50nm及以下的硅栅结构的制作方法 | 申请号 | CN201010199962.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102280374A | 公开（授权）日 | 2011.12.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 杨成樾;周静涛;张慧慧;刘焕明;申华军 | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | 一种50nm及以下的硅栅结构的制作方法 至一种50nm及以下的硅栅结构的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种50nm及以下的硅栅结构的制作方法，该方法先制作出100nm左右的粗硅栅，然后再经过二次处理形成50nm及以下尺寸的硅栅结构。该方法工艺简单，降低了细光栅制作过程中对光刻工艺的难度要求，解决了器件可重复性制作问题，提高了器件的成品率。 |
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