| 专利名称 | 高速电调控太赫兹调制器 | 申请号 | CN201110198257.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102279476A | 公开（授权）日 | 2011.12.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 张晓渝;秦华;吴东岷;李欣幸;张宝顺 | 主分类号 | G02F1/015(2006.01)I | IPC主分类号 | G02F1/015(2006.01)I | 专利有效期 | 高速电调控太赫兹调制器 至高速电调控太赫兹调制器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种高速电调控太赫兹调制器，包括介质基板(4)，所述介质基板(4)是对太赫兹波透明的材料，且所述介质基板表面分布高电子迁移率晶体管(3)形成的阵列，该介质基板表面以及高电子迁移率晶体管阵列表面还附着有频率选择表面结构(2)，所述频率选择表面结构是具有带通滤波结构的图形化导电薄膜，所述导电薄膜对应于每一高电子迁移率晶体管局部分别构成该高电子迁移率晶体管的源极(b)、漏极(c)和栅极(a)；所述高电子迁移率晶体管的电子迁移率在1500cm2/Vs以上。本发明实现了以电调制方式对太赫兹波幅值的高速调制效应，调制速度可大于10MHz，相对调制深度大于50％。 |
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