| 专利名称 | 一种调控柔性电子器件介电层厚度的方法 | 申请号 | CN201110198259.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102280583A | 公开（授权）日 | 2011.12.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 张东煜;高育龙;苏文明;崔铮 | 主分类号 | H01L51/40(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L51/40(2006.01)I | 专利有效期 | 一种调控柔性电子器件介电层厚度的方法 至一种调控柔性电子器件介电层厚度的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及柔性电子器件制作领域，尤其是一种调控介电层或绝缘层厚度的方法。这种调控柔性电子器件介电层厚度的方法步骤是利用柔性衬底层同时作为介电层或绝缘层；通过对其表面直接或涂覆压印材料后通过压印或刻蚀的方法制作几何图形，形成凹槽，从而减少或增加介电层或绝缘层厚度；然后在几何图形的凹槽内填入具有导电特性的材料，并经过固化等后续工艺过程，获得高质量的柔性电子器件。这种柔性电子器件介电层或绝缘层的厚度和膜层平坦度都可以获得精确控制，可以方便实现大面积、性能均一稳定的柔性电子器件制作，完全避免了大面积介电层或绝缘层成膜质量对所制器件均一性的影响。 |
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