| 专利名称 | 常压低温烧结β-氮化硅陶瓷的方法 | 申请号 | CN201110153979.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102276260A | 公开（授权）日 | 2011.12.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院唐山高新技术研究与转化中心 | 发明（设计）人 | 刘得顺;王福;杨连弟;王京甫;徐锦标;郭金砚;邹艺峰 | 主分类号 | C04B35/596(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B35/596(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 专利有效期 | 常压低温烧结β-氮化硅陶瓷的方法 至常压低温烧结β-氮化硅陶瓷的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种常压低温烧结β-氮化硅陶瓷的方法，其以β-氮化硅为原料，加入烧结助剂后配制成混合粉料；混合粉料在常压氮气氛下进行液相烧结；所述的烧结助剂由下述重量百分比的成分组成：MgO25～35%、CeO210～20%、AlPO45～10%、Y2O310～20%、Li2CO325～35%。本方法采用产量高，廉价易得的β-氮化硅粉；较之昂贵的高纯α-氮化硅粉料，成本大为降低。本方法是在常压氮气氛下液相烧结，烧结温度在1600℃以内，对设备要求较低，从而降低了设备成本。本方法所得氮化硅陶瓷制品的相对密度≥98%。抗弯强度达600～700MPa，压痕硬度达7～8GPa。 |
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