| 专利名称 | 用于相变存储器的过渡层 | 申请号 | CN200810032862.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101226989 | 公开（授权）日 | 2008.07.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 张挺;宋志棠;刘波;封松林 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I | 专利有效期 | 用于相变存储器的过渡层 至用于相变存储器的过渡层 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种用于相变存储器的过渡层，其特征在于所述的过渡层位 于相变材料和电极材料之间；过渡层材料的电阻率在10-6欧姆米和1016欧姆 米之间，过渡层材料的热导率在0.01W/m·k到30W/m·k之间。过渡层的厚度 ＜10nm，且与相变材料或电极材料间具有黏附力。所述的单层或多层结构的 过渡层可有效阻地挡相变材料和电极间的相互扩散，提升电极的加热效率， 同时减少了向电极和氧化物的扩散的热量，使更多的热量被用在相变材料加 热上。不仅提高了热量的利用率，降低了功耗，而且增加了相变存储器高、 低阻间的差异；将相变材料中的最高温度区域向加热电极移动，有效将相变 材料的熔化控制在电极周围，提升了器件的可靠性。 |
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