| 专利名称 | 多孔碳化硅表面单层、b轴取向ZSM-5沸石涂层材料及其制备 | 申请号 | CN201010199076.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102274744A | 公开（授权）日 | 2011.12.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院金属研究所 | 发明（设计）人 | 张劲松;矫义来;杨振明;田冲 | 主分类号 | B01J29/40(2006.01)I | IPC主分类号 | B01J29/40(2006.01)I;B01J35/10(2006.01)I;B01J35/04(2006.01)I;B01J37/02(2006.01)I;C04B41/85(2006.01)I;C30B7/10(2006.01)I;C30B29/34(2006.01)I;C07C1/20(2006.01)I;C07C11/00(2006.01)I | 专利有效期 | 多孔碳化硅表面单层、b轴取向ZSM-5沸石涂层材料及其制备 至多孔碳化硅表面单层、b轴取向ZSM-5沸石涂层材料及其制备 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明属于结构催化剂及其应用技术领域，具体为一种多孔碳化硅载体表面单层、b轴取向ZSM-5型沸石涂层材料及其制备方法。该结构催化剂以泡沫碳化硅或蜂窝结构碳化硅为载体，载体外表面有一层碳化硅颗粒搭接形成的多孔层，沸石涂层均匀生长于多孔层内。沸石涂层为单层结构，沸石晶体b轴垂直于碳化硅载体表面。该方法预先在碳化硅陶瓷表面原位生长一层晶种胶体，控制二次生长溶液的碱度、营养物质浓度及碱金属离子加入量，实现沸石晶体在碳化硅载体表面的可控生长。该结构催化剂孔道开放，分子扩散性能好，比表面积及负载量较大，沸石晶体与碳化硅载体接触面积大，有利于强化传质、传热，缩短反应物与反应产物与催化剂的接触时间。 |
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