| 专利名称 | 高速砷化镓基复合沟道应变高电子迁移率晶体管材料 | 申请号 | CN200710063375.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101221984 | 公开（授权）日 | 2008.07.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 徐静波;张海英;叶甜春;尹军舰 | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/201(2006.01)I | 专利有效期 | 高速砷化镓基复合沟道应变高电子迁移率晶体管材料 至高速砷化镓基复合沟道应变高电子迁移率晶体管材料 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及化合物半导体材料技术领域，公开了一种高速砷化镓基复 合沟道MHEMT材料，该MHEMT材料由在GaAs衬底上依次外延生长的 晶格应变层InxAl1-xAs、沟道下势垒层In0.52Al0.48As、沟道层掺杂InP、沟 道层不掺杂InP、沟道层In0.53Ga0.47As、空间隔离层In0.52Al0.48As、平面掺 杂层、势垒层In0.52Al0.48As和高掺杂盖帽层In0.53Ga0.47As构成。利用本发 明，结合了In0.53Ga0.47As的低场高电子迁移率和高场下InP有高阈值能量 以及高饱和速率的特性，解决了常规MHEMT器件源漏击穿电压低的缺 点，达到了既提高源漏击穿电压，又保证器件具有优越的毫米波频率特性 的目的。 |
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