| 专利名称 | 透射电子显微镜样品台转接头和所用基片及基片的制造方法 | 申请号 | CN200710179537.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101221882 | 公开（授权）日 | 2008.07.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 刘开辉;白雪冬;王恩哥 | 主分类号 | H01J37/20(2006.01)I | IPC主分类号 | H01J37/20(2006.01)I;G01N13/10(2006.01)I | 专利有效期 | 透射电子显微镜样品台转接头和所用基片及基片的制造方法 至透射电子显微镜样品台转接头和所用基片及基片的制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种用于性质测量的透射电子显微镜样品台转接头 及与其配套使用的基片和基片的制造方法。本发明的优势在于，通过 精密的机械加工和完整半导体工艺流程制作了一个通用的TEM样品台 转接头，把TEM对材料微观结构的表征能力和基片作为载体对材料性 质的测量能力很好地结合了起来。基片上样品完成在TEM中微观结构 表征以后，把基片取出放入其它任何可以兼容基片的性质测量设备， 可以测量材料的力学、电学、光学、热学等性质。同时，利用狭缝自 有的边角作为标记，可以保证TEM结构表征和性质测量的为同一微小 区域，从而可以把材料微观结构和性质真正地直接联系起来。另外， 也可以先进行性质测量，再进行TEM结构表征。 |
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