| 专利名称 | 钛酸铋钠-钛酸钡铁电单晶的制备方法 | 申请号 | CN200710046740.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101220511 | 公开（授权）日 | 2008.07.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 葛文伟;罗豪甦;刘洪;赵祥永;林迪;李晓兵;徐海清;潘晓明 | 主分类号 | C30B29/32(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/32(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I | 专利有效期 | 钛酸铋钠-钛酸钡铁电单晶的制备方法 至钛酸铋钠-钛酸钡铁电单晶的制备方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 钛酸铋钠-钛酸钡铁电单晶的制备方法，属于晶体生长领域。本 发明提供的制备方法，包括原料处理、升温熔化、生长和降温一系列 单晶生长过程。其中籽晶杆旋转速度10～50rpm，提拉速率0.1～ 20mm/day，降温速率为1～20℃/day；晶体生长完成以后的降温速率 为10～150℃/h。使用本发明提供的技术可以生长直径大于40mm，长 度大于10mm的钛酸铋钠-钛酸钡铁电(NBBT)单晶，其压电常数d33 达到280pC/N，机电耦合系数kt达到50％，其压电性能达到PZT陶瓷 等含铅压电材料的水平，在实际中可以获得应用。 |
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