| 专利名称 | 用于Ⅱ-Ⅵ族半导体材料位错显示的腐蚀剂及腐蚀方法 | 申请号 | CN200810033251.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101220477 | 公开（授权）日 | 2008.07.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 赵守仁;陆修来;魏彦锋;陈新强;杨建荣;丁瑞军;何力 | 主分类号 | C23F11/04(2006.01)I | IPC主分类号 | C23F11/04(2006.01)I | 专利有效期 | 用于Ⅱ-Ⅵ族半导体材料位错显示的腐蚀剂及腐蚀方法 至用于Ⅱ-Ⅵ族半导体材料位错显示的腐蚀剂及腐蚀方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种用于II-VI族半导体材料位错显示的腐蚀剂，该腐蚀剂的 成份配比为：H2O∶HCl∶HNO3∶HF∶K2Cr2O7∶CrO3＝80ml∶6-10ml∶10-15ml∶ 0-5ml∶5.1g∶2.0-7.0g。所说的II-VI族半导体材料为ZnyCd1-yTe体材料和以 其为衬底外延生长的Hg1-xCdxTe薄膜材料。腐蚀方法包括：被腐蚀样品的预处理， 位错腐蚀和被腐蚀样品的后处理。它相比于目前Hg1-xCdxTe薄膜材料专用位错显 示的两种常用Schaake和Chen腐蚀剂具有明显优势，体现在：腐蚀坑型较大、 规则、背景清晰；又可以显示衬底材料Cd1-yZnyTe的位错腐蚀坑，这对于研究外 延和衬底的位错对应关系具有重要意义。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障