| 专利名称 | 钨辅助热退火制备氮化镓纳米线的制备方法 | 申请号 | CN200710172321.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101220466 | 公开（授权）日 | 2008.07.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 林朝通;于广辉;雷本亮;王新中;王笑龙;齐鸣 | 主分类号 | C23C16/34(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/34(2006.01)I;C23C14/32(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I | 专利有效期 | 钨辅助热退火制备氮化镓纳米线的制备方法 至钨辅助热退火制备氮化镓纳米线的制备方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种采用钨辅助热退火制备氮化镓(GaN)纳米线的方法， 其特征在于采用了金属钨(W)作为催化剂。在热退火制备GaN纳米线的过 程中，先在GaN模板上电子束蒸发一层W薄层，然后在N2气氛下经热退火 后就形成了GaN纳米线。金属钨薄膜的引入，作用是生长GaN纳米线的催 化剂，在高温下金属W会发生团聚同时下层的GaN会分解使得金属W层形 成分立的多孔网状结构，从而暴露出部分的GaN膜，同时分生成的金属Ga 和N原子在金属W催化剂的作用下又合成细长的GaN纳米线。这种方法简 单易行，仅需要沉积或溅射一层薄薄的金属W层，适合于科学实验和批量生 产时采用。 |
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