| 专利名称 | 研磨液、研磨液的制备方法和使用该研磨液的研磨方法 | 申请号 | CN200910236733.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101979450A | 公开（授权）日 | 2011.02.23 | 申请（专利权）人 | 北京天科合达蓝光半导体有限公司;中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 张贺;娄艳芳;胡伯清;王锡铭;彭同华;陈小龙 | 主分类号 | C09G1/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C09G1/02(2006.01)I;B24B29/00(2006.01)I | 专利有效期 | 研磨液、研磨液的制备方法和使用该研磨液的研磨方法 至研磨液、研磨液的制备方法和使用该研磨液的研磨方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种用于高质量研磨碳化硅晶片的研磨液、研磨液的制备方法以及使用该研磨液的研磨方法。该研磨液由去离子水、金刚石粉、甘油、防锈剂和添加剂配制而成。利用此方法配制的研磨液气味清新，分散均匀，状态稳定，基本无沉淀，可循环使用，加工晶片去除速率快，加工出的碳化硅晶片较光亮，且无明显划痕，可高效防止上下研磨盘生锈。该研磨液的使用循环次数，可以通过改变加入添加剂的量或者不同添加剂的比例来调节。 |
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