| 专利名称 | 一种单原子层石墨烯薄膜的制备方法 | 申请号 | CN201010546602.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101979315A | 公开（授权）日 | 2011.02.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所;中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心 | 发明（设计）人 | 夏洋;饶志鹏;刘键 | 主分类号 | C01B31/04(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B31/04(2006.01)I | 专利有效期 | 一种单原子层石墨烯薄膜的制备方法 至一种单原子层石墨烯薄膜的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及石墨烯的制备技术，具体涉及一种单原子层石墨烯薄膜的制备方法，包括如下步骤：将碳化硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；向所述原子层沉积设备反应腔中通入碳源气体，所述碳源气体作为第一反应前驱体在碳化硅衬底表面进行化学吸附；所述的碳源气体与通入的第二反应前驱体发生卤代反应，并产生相应的副产物，直到碳化硅衬底表面的碳源气体完全消耗；所述卤代反应停止后，相应的副产物经过光照在碳化硅衬底表面形成单原子层石墨烯薄膜。本发明利用原子层沉积技术制备石墨烯薄膜，该制备方法操作简单，转化率高，能耗小，且制得的石墨烯薄膜结构完整，厚度均一，并为单原子层厚度。 |
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