| 专利名称 | 一种清洗碳化硅晶片表面污染物的方法 | 申请号 | CN201010179864.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101979160A | 公开（授权）日 | 2011.02.23 | 申请（专利权）人 | 北京天科合达蓝光半导体有限公司;苏州天科合达蓝光半导体有限公司;中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 郭钰;陈小龙;王波;张贺;王锡铭;彭同华;郭晨丽;鲍惠强;李龙远;郑红军 | 主分类号 | B08B3/08(2006.01)I | IPC主分类号 | B08B3/08(2006.01)I;B08B3/12(2006.01)I;C23G1/02(2006.01)I | 专利有效期 | 一种清洗碳化硅晶片表面污染物的方法 至一种清洗碳化硅晶片表面污染物的方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种用于碳化硅晶片表面污染物的清洗工艺，该清洗工艺包括有机清洗和无机清洗两部分内容。有机清洗包括去除表面黏着的蜡质和表面其余的部分有机污染物的步骤；无机清洗包括通过氧化-去除氧化层来去除碳化硅表面残留的有机污染物和其它强吸附性物质的步骤，还包括通过酸洗来去除表面的无机污染物的步骤。该清洗工艺能够最大限度的去除表面的污染和粒子，极大地提高了碳化硅晶片的即时使用效率。 |
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