亚稳态辅助量子点共振隧穿二极管及工作条件

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专利名称 亚稳态辅助量子点共振隧穿二极管及工作条件 申请号 CN200710173511.3 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN101217164 公开(授权)日 2008.07.09 申请(专利权)人 中国科学院上海技术物理研究所 发明(设计)人 陆卫;李天信;陈平平;张波;甄红楼;李志锋;李宁;陈效双 主分类号 H01L29/88(2006.01)I IPC主分类号 H01L29/88(2006.01)I 专利有效期 亚稳态辅助量子点共振隧穿二极管及工作条件 至亚稳态辅助量子点共振隧穿二极管及工作条件 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明提供了一种半导体量子点亚稳态共振隧穿二极管结构及工作条件。该 结构包括:衬底,在衬底上依次排列生长集电极、第二隧道势垒层、与发射极 集电极间耦合的量子点、第一隧道势垒层和发射极。工作条件包括工作温度, 工作偏压,量子点亚稳态的获得。它可以消除量子点邻近子能级对亚稳能态单 电子隧穿的影响,达到提高二极管工作温度的目的。

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