| 专利名称 | 用于微波功率放大器芯片的在片测试方法及其测试系统 | 申请号 | CN200810032651.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101216528 | 公开（授权）日 | 2008.07.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 张健;孙晓玮;李凌云;顾建忠;钱蓉 | 主分类号 | G01R31/28(2006.01)I | IPC主分类号 | G01R31/28(2006.01)I | 专利有效期 | 用于微波功率放大器芯片的在片测试方法及其测试系统 至用于微波功率放大器芯片的在片测试方法及其测试系统 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种用于微波功率放大器芯片在片测试的方法及其测试系 统，属于微波通信中的芯片测试技术领域。特征在于通过脉冲方式的偏置电 压大大降低了热量对微波功率放大器性能上的影响，真正的实现了芯片的探 针台在片测试，免除了封装以及外部散热系统的安装。脉冲调制和脉冲产生 装置利用了晶体管的开关特性来调制脉冲信号作为微波功率放大器的偏置。 用直流脉冲信号连接在晶体管的栅极作为其栅极电压以控制晶体管沟道的开 启和关闭，当脉冲信号的正压加载时，晶体管的沟道建立，连接在晶体管漏 极的电流源就会通过沟道，施加电流在源极的负载上；当脉冲信号的零压加 载时，晶体管的沟道就被截止，电流源就会无法通过沟道到达源级，负载上 无电流通过。 |
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