| 专利名称 | 一种包含赝衬底的InP基应变量子阱结构及制备方法 | 申请号 | CN201010290432.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101982905A | 公开（授权）日 | 2011.03.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 顾溢;张永刚 | 主分类号 | H01S5/343(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/343(2006.01)I;H01L33/12(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 专利有效期 | 一种包含赝衬底的InP基应变量子阱结构及制备方法 至一种包含赝衬底的InP基应变量子阱结构及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种包含赝衬底的InP基应变量子阱结构及制备方法，自下而上为InP衬底、赝衬底和量子阱结构，其中赝衬底包括组分连续渐变缓冲层及单一组分缓冲层；制备方法即采用分子束外延法，首先在InP衬底上生长组分连续渐变的缓冲层；再生长单一组分的材料作为缓冲层，完成赝衬底的生长；生长完的赝衬底上生长相对赝衬底应变补偿的量子阱结构。本发明包含赝衬底的InP基应变量子阱结构既适合于需要采用与InP衬底具有大应变的量子阱的半导体激光器，也适合于其他新型电子或光电子器件，具有很好的通用性；应用此制备方法，为InP基量子结构和功能的设计和实现引入了更大的自由度。 |
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