| 专利名称 | GaInP/GaAs/InGaNAs/Ge四结太阳能电池及其制备方法 | 申请号 | CN201210249534.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102790117A | 公开（授权）日 | 2012.11.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 赵勇明;董建荣;李奎龙;孙玉润;于淑珍;杨辉 | 主分类号 | H01L31/0687(2012.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0687(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | GaInP/GaAs/InGaNAs/Ge四结太阳能电池及其制备方法 至GaInP/GaAs/InGaNAs/Ge四结太阳能电池及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种GaInP/GaAs/InGaNAs/Ge四结太阳能电池，包括Si支撑衬底，以及在所述Si支撑衬底表面依次设置的Ge或GaInAs的第一接触层、Ge子电池、第一隧穿结、InGaNAs子电池、第二隧穿结、GaAs子电池、第三隧穿结、GaInP子电池和InGaAs或GaAs的第二接触层。本发明还提供一种GaInP/GaAs/InGaNAs/Ge四结太阳能电池的制备方法，包括步骤：1)提供一GaAs衬底；2)在GaAs衬底表面生长依次生长第二接触层、GaInP子电池、第三隧穿结、GaAs子电池、第二隧穿结、InGaNAs子电池、第一隧穿结、Ge子电池和第一接触层；3)提供一Si支撑衬底；4)将Si支撑衬底键合至第一接触层表面；5）从第二接触层处将GaAs衬底剥离以去除GaAs衬底。 |
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