| 专利名称 | 倒装GaInP/GaAs/Ge/Ge四结太阳能电池及其制备方法 | 申请号 | CN201210249532.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102790116A | 公开（授权）日 | 2012.11.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 李奎龙;董建荣;赵勇明;孙玉润;于淑珍;杨辉 | 主分类号 | H01L31/0687(2012.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0687(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 倒装GaInP/GaAs/Ge/Ge四结太阳能电池及其制备方法 至倒装GaInP/GaAs/Ge/Ge四结太阳能电池及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种倒装GaInP/GaAs/Ge/Ge四结太阳能电池包括支撑衬底，以及在所述支撑衬底表面依次设置的Ge或InGaAs的键合层、第二Ge子电池、第一隧穿结、第一Ge子电池、第二隧穿结、GaAs子电池、第三隧穿结、GaInP子电池和GaAs接触层。本发明还提供一种倒装GaInP/GaAs/Ge/Ge四结太阳能电池的制备方法，包括步骤：1)提供一GaAs衬底；2)在GaAs衬底表面生长依次生长Al0.3Ga0.7As或GaInP的牺牲层、GaAs接触层、GaInP子电池、第三隧穿结、GaAs子电池、第二隧穿结、第一Ge子电池、第一隧穿结、第二Ge子电池和Ge或InGaAs的键合层；3)提供一支撑衬底；4)将支撑衬底键合至Ge或InGaAs的键合层表面；5）从GaAs接触层处将GaAs衬底及Al0.3Ga0.7As或GaInP的牺牲层剥离以去除GaAs衬底及Al0.3Ga0.7As或GaInP的牺牲层。 |
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