| 专利名称 | 半导体结构及其制作方法 | 申请号 | CN201110126832.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102790006A | 公开（授权）日 | 2012.11.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 骆志炯;尹海洲;朱慧珑 | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体结构及其制作方法 至半导体结构及其制作方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种半导体结构及其制作方法。该方法包括：提供第一半导体层；在第一半导体层上设置电介质材料层，并在该电介质材料层中限定开口；在第一半导体层上，经由开口，外延生长第二半导体层，第二半导体层填充开口且覆盖电介质材料层，其中第二半导体层的材料与第一半导体层的材料不同；以及在第二半导体层中形成隔离区，以限定至少一个选择性SOI区，选择性SOI区包括SOI部分以及体接触部分，体接触部分夹于SOI部分之间，SOI部分位于电介质材料层上，体接触部分位于第一半导体层上。根据本发明，提供了一种异质选择性SOI结构，既能够减小异质外延时的生长缺陷，又能够提供选择性SOI配置的优点。 |
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