| 专利名称 | 提高浅沟槽隔离化学机械平坦化均匀性的方法 | 申请号 | CN201110125319.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102789974A | 公开（授权）日 | 2012.11.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 杨涛;刘金彪;李俊峰;赵超 | 主分类号 | H01L21/3105(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 专利有效期 | 提高浅沟槽隔离化学机械平坦化均匀性的方法 至提高浅沟槽隔离化学机械平坦化均匀性的方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明公开了提高浅沟槽隔离化学机械平坦化均匀性的方法，包括：在浅沟槽中淀积形成氧化硅隔离层，所述氧化硅隔离层具有凸出部分和凹陷部分；执行离子注入，改变所述凸出部分的结晶状态；对所述氧化硅隔离层执行化学机械抛光，直至露出停止层。依照本发明的提高浅沟槽隔离化学机械平坦化均匀性的方法，采用了离子注入与氧化硅CMP工艺复合使用，通过对凸出部分氧化硅进行离子注入处理，来提高CMP研磨液对凸出部分氧化硅的材料移除速率。在STI?CMP过程中，达到降低浅沟槽隔离区和非隔离区上方氧化层的厚度落差的目的，从而提高STICMP工艺的平坦化均匀性，即降低产生凹陷缺陷的程度。 |
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