| 专利名称 | SOI MOS器件的建模方法 | 申请号 | CN201210248270.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102789530A | 公开（授权）日 | 2012.11.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 卜建辉;毕津顺;罗家俊;韩郑生 | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I | IPC主分类号 | G06F17/50(2006.01)I | 专利有效期 | SOI MOS器件的建模方法 至SOI MOS器件的建模方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种SOI?MOS器件的建模方法，其中该SOI?MOS器件为源漏注入不到底的SOI?MOS器件，该方法包括：a）建立包含模拟源漏注入到底的SOI?MOS器件的初级MOS器件模型以及模拟源体PN结底面电容的源体PN结底面电容模型和模拟漏体PN结底面电容的漏体PN结底面电容模型的总体模型；b）对总体模型中的初级MOS器件模型和源体PN结底面电容模型和漏体PN结底面电容模型分别进行参数提取。本发明提供的建模方法考虑源漏注入不到底的SOI?MOS器件中源体结底面电容以及漏体结底面电容对于器件性能的影响，提高了模型的精确度，能够有效的运用于对器件的仿真设计。 |
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