| 专利名称 | 一种用于原位电学测试的透射电镜样品的制备方法 | 申请号 | CN201110131693.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102788723A | 公开（授权）日 | 2012.11.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘琦;刘明;龙世兵;吕杭炳;李颖涛;王艳;谢常青 | 主分类号 | G01N1/32(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N1/32(2006.01)I | 专利有效期 | 一种用于原位电学测试的透射电镜样品的制备方法 至一种用于原位电学测试的透射电镜样品的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种用于原位电学测试的透射电镜样品的制备方法。所述方法包括以下步骤：将金属探针的顶端针尖削平形成表面平整的平台；在金属探针的顶端平台上制备两端半导体器件；在形成两端半导体器件的顶端淀积一层保护层；以所述保护层为掩膜，对两端半导体器件进行减薄形成薄片；对两端半导体器件的薄片进行分割，形成多个独立的TEM测试样品。本发明解决了TEM样品与原位电学测试TEM样品杆的电学连接问题，避免了常规FIB制备TEM样品所需的样品提取转移到Cu网的步骤，减小了样品制备的难度，提高了样品制备的成功率，大大降低了样品的制备成本。 |
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