| 专利名称 | 一种基于溶剂热反应的均相碳硅有机先驱粉体及其应用 | 申请号 | CN201210312929.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102826536A | 公开（授权）日 | 2012.12.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院金属研究所 | 发明（设计）人 | 张劲松;姜春海;杨晓丹;许卫刚 | 主分类号 | C01B31/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B31/02(2006.01)I;C01B31/36(2006.01)I;C01B33/18(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 一种基于溶剂热反应的均相碳硅有机先驱粉体及其应用 至一种基于溶剂热反应的均相碳硅有机先驱粉体及其应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明属于均相碳硅有机先驱粉体的制备技术领域，具体地说为一种基于溶剂热反应的均相碳硅有机先驱粉体及其应用，解决硅酸乙酯与酚醛树脂直接混合时容易分相，无法得到均相碳硅有机先驱粉体的问题。将酚醛树脂和正硅酸乙酯按一定比例溶于有机溶剂，并以乙酸作为水解抑制剂，置于密闭反应釜中，在100~250℃自生压力下溶剂热聚合4~10小时；将聚合产物烘干、研磨后即可制备得到纳米尺度、粒度均一且具有良好分散性的均相碳硅有机先驱粉体。利用本发明制得的均相碳硅有机先驱粉体，可采用碳热还原反应制备碳化硅超细粉体，或者直接在空气气氛下煅烧制备纳米二氧化硅粉体，或者采用先碳化再化学腐蚀去除二氧化硅的方法制备多孔碳粉，用途广泛。 |
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