| 专利名称 | 纳米线制造方法 | 申请号 | CN201110159421.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102826504A | 公开（授权）日 | 2012.12.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 罗军;赵超;钟汇才;李俊峰 | 主分类号 | B82B3/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B82B3/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;G03F7/00(2006.01)I | 专利有效期 | 纳米线制造方法 至纳米线制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种纳米线制造方法，包括：在衬底上依次形成第一垫氧层、硅层、第二垫氧层、牺牲层和盖层的堆叠；刻蚀所述盖层和牺牲层以形成牺牲层开口，直至露出所述第二垫氧层；在所述牺牲层开口中以及所述牺牲层上形成第二盖层；各向异性刻蚀所述第二盖层以形成纳米侧墙图形；以及以所述纳米侧墙图形为掩模，各向异性刻蚀所述硅层以形成硅纳米线。依照本发明的纳米线制造方法，利用牺牲层将其侧壁的盖层图形转移到下方的结构上，也即采用了侧墙转移光刻技术，无需昂贵的光刻设备且与主流CMOS技术兼容因而大幅度降低了制造成本，此外能很好地控制硅纳米线的尺寸和均匀性，从而可以得到10nm以下小尺寸的硅纳米线。 |
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