| 专利名称 | 氮化镓基液体传感器及其制备方法 | 申请号 | CN201210319891.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102830137A | 公开（授权）日 | 2012.12.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 罗卫军;陈晓娟;袁婷婷;庞磊;刘新宇 | 主分类号 | G01N27/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N27/00(2006.01)I | 专利有效期 | 氮化镓基液体传感器及其制备方法 至氮化镓基液体传感器及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种氮化镓基液体传感器，包括：欧姆接触电极、表面钝化层、肖特基接触电极及半导体衬底；所述半导体衬底外延上生长有AlGaN/GaN异质结材料结构；所述欧姆接触电极、表面钝化层、肖特基接触电极分别设置在所述AlGaN/GaN异质结材料结构上表面。本发明还公开了一种氮化镓基液体传感器的制备方法。本发明提供的一种氮化镓基液体传感器及其制备方法，结合AlGaN/GaN材料体系所具有的高化学稳定性、高极化2DEG浓度、无毒环保、耐高温、便于系统集成等优点，研制出性能优异的液体传感器，在国家安全、环境保护、医疗卫生、食品安全等领域都具有广泛的应用前景。 |
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