| 专利名称 | InGaN太阳能电池及其制作方法 | 申请号 | CN201210319268.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102832272A | 公开（授权）日 | 2012.12.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 李亮;赵德刚;江德生;刘宗顺;陈平;吴亮亮;乐伶聪;杨辉 | 主分类号 | H01L31/0352(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | InGaN太阳能电池及其制作方法 至InGaN太阳能电池及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种InGaN太阳能电池及其制作方法，包括：一衬底；一GaN缓冲层制作在衬底上；一N型GaN欧姆接触层制作在GaN缓冲层上；一本征InGaN吸收层制作在N型GaN欧姆接触层上面的一侧，N型GaN欧姆接触层的另一侧形成一台面；一GaN保护层制作在本征InGaN吸收层上；一P型GaN层制作在低温GaN保护层上；一P型GaN欧姆接触层制作在P型GaN层上；一电流扩展层制作在P型GaN欧姆接触层上；一P型欧姆接触电极制作在电流扩展层上；一N型欧姆接触电极，该N型欧姆接触电极制作在N型GaN欧姆接触层的台面上。本发明具有提高InGaN太阳能电池效率的优点。 |
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