| 专利名称 | 金属源漏SOI MOS晶体管及其形成方法 | 申请号 | CN201110161231.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102832127A | 公开（授权）日 | 2012.12.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 赵超;罗军;钟汇才;王文武 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 专利有效期 | 金属源漏SOI MOS晶体管及其形成方法 至金属源漏SOI MOS晶体管及其形成方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种金属源漏SOI?MOS晶体管及其形成方法，所述形成方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底中形成介质层，所述介质层嵌入所述半导体衬底且其表面与所述半导体衬底的表面齐平；在所述介质层两侧的半导体衬底上形成金属硅化物层；在所述介质层上形成半导体层；在所述半导体层上形成栅极结构。本发明有利于降低工艺复杂度和生产成本，并克服小尺寸器件的短沟道效应。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障