| 专利名称 | 高频内匹配功率器件的封装方法 | 申请号 | CN201210319726.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102832145A | 公开（授权）日 | 2012.12.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 罗卫军;陈晓娟;杨成樾;刘新宇 | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/60(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I | 专利有效期 | 高频内匹配功率器件的封装方法 至高频内匹配功率器件的封装方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 公开了一种高频内匹配功率器件的封装方法，包括：将内匹配电路通过金锗合金共晶在管壳内；将功率器件和输入输出匹配电容通过金锡合金共晶在管壳内；将功率器件、输入输出匹配电容及内匹配电路通过金丝电学互连；将内匹配电路和管壳管脚通过金带电学互连。本发明提供的一种高频内匹配功率器件的封装方法，采用两级LCL输入匹配的封装方式，降低了输入匹配电路的Q值，从而增大了内匹配功率器件的带宽、增益和输出功率，此外，本发明分别采用金锡、金锗将高频功率器件、陶瓷电容和匹配电路共晶在管壳内，保证了物理连接的牢固性，并增加了功率器件的热导率。 |
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