| 专利名称 | 一种相变存储器单元及其制备方法 | 申请号 | CN201210335211.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102832340A | 公开（授权）日 | 2012.12.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 周夕淋;宋志棠;吴良才;饶峰 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种相变存储器单元及其制备方法 至一种相变存储器单元及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种相变存储器单元及其制备方法，用于提升相变存储器中相变单元的操作速度；采用在相变存储单元的相变存储材料层中植入一层或几层锑Sb薄膜，以加快相变材料在可逆相变过程中的结晶速率。其中相变材料可以是二元的材料体系，如Ge-Te、Sb-Te等相变材料；也可以是三元的材料体系，如Ge-Sb-Te、Si-Sb-Te、Al-Sb-Te、Ti-Sb-Te等相变材料；诱导结晶层锑薄膜的厚度控制在1-5nm。由于锑原子能够促进相变材料结晶过程中晶粒的生长，因此植入的锑薄膜层能与周围的相变材料形成富锑的相变材料体系，以加快相变材料在结晶过程中的晶化速率，从而有助于提高相变存储器存储单元的操作速度。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障