| 专利名称 | 磁控溅射设备 | 申请号 | CN201220193104.5 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN202595259U | 公开（授权）日 | 2012.12.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院深圳先进技术研究院 | 发明（设计）人 | 贺凡;刘壮;张军;冯叶 | 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/35(2006.01)I | 专利有效期 | 磁控溅射设备 至磁控溅射设备 | 法律状态 | 说明书摘要 | 一种磁控溅射设备，包括溅射室，安装于溅射室内的靶材，以及开口于溅射室、并与磁控溅射设备附属的真空系统之间真空相连的抽气口。还包括用于将气体送入溅射室内带有出气孔的进气管和设置于进气管与抽气口之间的挡板。进气管与挡板安装于溅射室内。上述磁控溅射设备，由于挡板的隔离作用，减弱了抽气力对溅射室内气体浓度的影响，从而使溅射室内气体浓度较均匀。另外，气体从进气管通过出气孔进入溅射室，气体分子与挡板发生碰撞，会有一部分气体分子在一定的距离内向抽气口相反的方向运动，使靶材表面区域的气体分子分布比较均匀。 |
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