| 专利名称 | 铜锌锡锗硒薄膜及其制备方法、铜锌锡锗硒薄膜太阳能电池 | 申请号 | CN201210282575.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102820347A | 公开（授权）日 | 2012.12.12 | 申请（专利权）人 | 深圳先进技术研究院;香港中文大学 | 发明（设计）人 | 程冠铭;肖旭东;杨春雷;刘壮;顾光一;罗海林;冯叶 | 主分类号 | H01L31/032(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/032(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/065(2012.01)I | 专利有效期 | 铜锌锡锗硒薄膜及其制备方法、铜锌锡锗硒薄膜太阳能电池 至铜锌锡锗硒薄膜及其制备方法、铜锌锡锗硒薄膜太阳能电池 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种铜锌锡锗硒薄膜，包括：入光层，包括第一入光面及与所述第一入光面相对的第一背光面，所述入光层的材料中锗与锡的摩尔比值沿所述第一入光面到所述第一背光面的方向逐渐降低；及背光层，包括与所述第一背光面相连的第二入光面及远离所述第一背光面的第二背光面，所述背光层的材料中锗与锡的摩尔比值沿所述第二入光面到所述第二背光面的方向逐渐升高；上述铜锌锡锗硒薄膜中，铜锌锡锗硒薄膜材料的禁带宽度呈先降后升的变化趋势，使光生电子-空穴对在高复合区域中分离，避免光生载流子之间的复合，提高对光生载流子的收集效率，进而提高了铜锌锡锗硒薄膜太阳能电池的光电转换效率。同时还提供了一种铜锌锡锗硒薄膜的制备方法及使用该薄膜的太阳能电池。 |
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