| 专利名称 | 铜锌锡锗硒薄膜及其制备方法、铜锌锡锗硒薄膜太阳能电池 | 申请号 | CN201210282476.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102820346A | 公开（授权）日 | 2012.12.12 | 申请（专利权）人 | 深圳先进技术研究院;香港中文大学 | 发明（设计）人 | 顾光一;肖旭东;杨春雷;刘壮;罗海林;冯叶;程冠铭 | 主分类号 | H01L31/032(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/032(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/065(2012.01)I | 专利有效期 | 铜锌锡锗硒薄膜及其制备方法、铜锌锡锗硒薄膜太阳能电池 至铜锌锡锗硒薄膜及其制备方法、铜锌锡锗硒薄膜太阳能电池 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种铜锌锡锗硒薄膜，包括入光面及与所述入光面相对的背光面，其中，所述铜锌锡锗硒薄膜中锗与锡的摩尔比值沿所述入光面到所述背光面的方向逐渐升高。上述铜锌锡锗硒薄膜，随着材料中锗与锡的摩尔比值的变化，禁带宽度呈现梯度变化趋势。这种变化趋势的禁带宽度，可使得入光面至背光面间产生电势差，使光生电子-空穴对在高复合区域中分离，避免光生载流子之间的复合，延长了光生载流子的寿命，且产生的电势差有利于提高光生载流子的扩散长度，提高对光生载流子的收集效率，进而提高了电池的光电转换效率。同时还提供了一种铜锌锡锗硒薄膜的制备方法及使用该铜锌锡锗硒薄膜的太阳能电池。 |
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