| 专利名称 | 石斛属的快繁与离体保存方法 | 申请号 | CN200810058044.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101213941 | 公开（授权）日 | 2008.07.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院昆明植物研究所 | 发明（设计）人 | 龙春林;程治英;罗吉凤 | 主分类号 | A01H4/00(2006.01)I | IPC主分类号 | A01H4/00(2006.01)I;A01N3/00(2006.01)I;C12N5/04(2006.01)N | 专利有效期 | 石斛属的快繁与离体保存方法 至石斛属的快繁与离体保存方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 石斛属的快繁与离体保存方法： (1)取石斛属果实内种子或茎尖或带腋芽的幼茎，果在纯乙醇中 沾一下，然后在酒精灯火焰上燃烧然后用于接种；茎尖或幼茎在70％ 乙醇中浸一下，投入0.2％升汞8min，无菌水冲洗干净后接种在培养 基中，待种子萌发或茎尖和幼茎长成拟原球茎，进行继代培养大量增 殖，然后将原球茎放在分化芽的培养基上，待芽条高2-3cm时转入生 根培养基，长成具根和4-5片叶的试管苗； (2)选择石斛属培养物即3个不同发育阶段的培养材料也就是 由石斛属种子萌发后产生的胚性组织即原球茎或茎尖和茎基部形成 的拟原球茎，由原球茎或拟原球茎分化产生的丛芽，由丛芽分化产生 的具根和4-5片叶的试管苗，在培养基为1/2MS+NAA1mg.L-1+S2％， 温度为15-20℃中进行离体保存。 |
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