| 专利名称 | 一种IGBT模块的覆铜陶瓷基板结构 | 申请号 | CN201210301567.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102820277A | 公开（授权）日 | 2012.12.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所 | 发明（设计）人 | 钟玉林;苏伟;孟金磊;温旭辉 | 主分类号 | H01L23/498(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L23/498(2006.01)I;H01L23/15(2006.01)I | 专利有效期 | 一种IGBT模块的覆铜陶瓷基板结构 至一种IGBT模块的覆铜陶瓷基板结构 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种IGBT模块的覆铜陶瓷基板结构，所述的覆铜陶瓷基板的正面覆铜层包括流过主电流的铜箔（120、121、122）以及辅助控制极的铜箔（101、102，110、111）。所述的辅助控制极铜箔包括：辅助栅极控制铜箔（102、111）和辅助发射极控制铜箔（101、110）。IGBT的栅极控制端子（103）通过绑定线连接到IGBT的辅助栅极控制铜箔（102），并通过绑定线进一步连接到IGBT芯片的栅极焊盘（109）。IGBT的发射极控制端子（104）通过绑定线连接到IGBT的辅助发射极控制铜箔（101），并通过绑定线连接到与IGBT的发射极相连的主电流铜箔（120）。 |
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