| 专利名称 | 半导体器件中金属厚度的量测方法 | 申请号 | CN201110156411.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102820237A | 公开（授权）日 | 2012.12.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 杨涛;赵超;李俊峰;闫江;陈大鹏 | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/66(2006.01)I;H01L21/321(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件中金属厚度的量测方法 至半导体器件中金属厚度的量测方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种半导体器件中金属厚度的量测方法，包括以下步骤：提供具有预定形状和尺寸的测试结构；在CMP后，使用X射线反射设备测量该测试结构中金属的厚度。依照本发明的量测方法，实现了在对金属层CMP后金属层厚度的精确监控，因而能直接判断是否存在金属塞的过研磨问题，进而明确W-Al缓冲CMP是否工艺合格。另外，本发明的实施例中选择的是对金属塞厚度的量测，本领域技术人员也可以根据本发明的精神实质将该监控方法扩展到对于其他半导体器件组成部分的监控。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障