| 专利名称 | 微测辐射热计红外探测器及其制备方法 | 申请号 | CN201110150974.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102818638A | 公开（授权）日 | 2012.12.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院深圳先进技术研究院 | 发明（设计）人 | 俞挺;于峰崎;彭本贤 | 主分类号 | G01J5/20(2006.01)I | IPC主分类号 | G01J5/20(2006.01)I | 专利有效期 | 微测辐射热计红外探测器及其制备方法 至微测辐射热计红外探测器及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种微测辐射热计红外探测器的制备方法，包括下列步骤：步骤A，采用CMOS工艺制造信号处理电路，同时形成红外探测器单元半成品；步骤B，采用干法刻蚀工艺刻蚀红外探测器单元半成品，形成腐蚀窗口；步骤C，淀积保护层，并刻蚀保护层形成侧墙；步骤D，通过腐蚀窗口腐蚀硅衬底，在红外探测器单元中制作悬空的悬臂和红外吸收层，并形成空腔。上述微测辐射热计红外探测器的制备方法，采用市场上商业标准CMOS工艺与MEMS工艺相结合，可以将红外探测单元与信号处理电路集成在一个芯片上，其制作工艺与标准CMOS工艺完全兼容，易于集成，非常适合大批量生产。相对于采用成本昂贵及工艺不成熟的SOI技术来说，成本得到大大降低，易于实现工业化量产。 |
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