| 专利名称 | 可加磁场的透射电子显微镜样品杆 | 申请号 | CN201210269758.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102820196A | 公开（授权）日 | 2012.12.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 杨新安;姚湲;段晓峰;田焕芳 | 主分类号 | H01J37/20(2006.01)I | IPC主分类号 | H01J37/20(2006.01)I;H01J37/26(2006.01)I | 专利有效期 | 可加磁场的透射电子显微镜样品杆 至可加磁场的透射电子显微镜样品杆 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种可加磁场的透射电子显微镜样品杆，包括头部框架，所述头部框架沿样品杆长度延伸方向具有第一端部和第二端部；载台，用于承载样品，所述载台设有供入射电子束通过的通道，所述载台设置在头部框架内靠近头部框架第一端部；第一磁线圈，设置在头部框架内靠近头部框架第二端部，在通电流时产生第一磁场，所述第一磁场对样品产生磁化作用；以及第二磁线圈，设置在头部框架内靠近头部框架第二端部，位于所述第一磁线圈的下方，通电流时产生第二磁场，所述第二磁场能够使在第一磁场作用下发生偏转的电子束向入射方向回偏。本发明可用来研究在外加磁场的作用下磁性材料的磁畴变化。 |
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