| 专利名称 | 分裂栅存储器及其制造方法 | 申请号 | CN201110147095.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102810560A | 公开（授权）日 | 2012.12.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘明;姜丹丹;霍宗亮;张满红;王琴;刘璟;谢常青 | 主分类号 | H01L29/43(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/43(2006.01)I;H01L29/788(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 分裂栅存储器及其制造方法 至分裂栅存储器及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种分裂栅存储器，隧穿介质层采用低k介质材料。通过采用低介电常数材料作为分裂栅存储器中的隧穿介质层，由于具有低的介电常数，从而在不增加其隧穿介质层厚度的情况下，有效的降低了控制栅介质层与电荷存储层之间的耦合电容，使得其擦除操作电压有效降低，擦除操作速度得到有效提高。 |
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