| 专利名称 | 植入式神经信息双模检测微电极阵列芯片及制备方法 | 申请号 | CN201110132546.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102783942A | 公开（授权）日 | 2012.11.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电子学研究所 | 发明（设计）人 | 宋轶琳;蔡新霞;林楠森;刘春秀;王利 | 主分类号 | A61B5/04(2006.01)I | IPC主分类号 | A61B5/04(2006.01)I | 专利有效期 | 植入式神经信息双模检测微电极阵列芯片及制备方法 至植入式神经信息双模检测微电极阵列芯片及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种植入式神经信息双模检测微电极阵列芯片及制备方法，涉及传感器技术。该芯片包括硅针基底、呈阵列排布的多个微电极、对电极、电化学参比电极、电生理参比电极、引线、焊盘以及绝缘层。芯片采用微机电系统(MEMS)工艺加工制备。硅针前端部分可植入动物体内的神经组织，用于同时检测神经电生理信号和神经递质电化学信号，并兼有对神经组织施加电刺激的功能。本发明芯片功能集成化，适合急性或长期植入动物体内，开展神经信息的原位、同步双模检测及相关研究。 |
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