| 专利名称 | 一种源漏区 | 申请号 | CN201190000053.3 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN202585380U | 公开（授权）日 | 2012.12.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;朱慧珑;骆志炯 | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 一种源漏区 至一种源漏区 | 法律状态 | 说明书摘要 | 一种源漏区，包括：第一区，至少部分厚度的所述第一区位于衬底内；第二区，所述第二区形成于所述第一区上，所述第二区的材料与所述第一区的材料不同。一种源漏区的形成方法，包括：在衬底中位于栅堆叠结构两侧形成沟槽；形成第一半导体层，至少部分所述第一半导体层填充所述沟槽；在所述第一半导体层上形成第二半导体层，所述第二半导体层的材料与所述第一半导体层的材料不同。还提供了一种接触孔及其形成方法。可增加接触孔与接触区的接触面积，减小接触电阻。 |
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