| 专利名称 | 一种晶体管 | 申请号 | CN201090000797.0 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN202585424U | 公开（授权）日 | 2012.12.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;骆志炯;朱慧珑 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I | 专利有效期 | 一种晶体管 至一种晶体管 | 法律状态 | 说明书摘要 | 一种晶体管包括具有沟道区的基底(100)；位于该基底(100)沟道区两端的源区(101)和漏区(102)；界于所述源区(101)和漏区(102)之间的该沟道区上方基底(100)顶层的栅极高k介质层(103)；位于该栅极高k介质层(103)下面的界面层，该界面层第一部分(107)靠近源区(101)，第二部分(106)靠近漏区(102)，且第一部分(107)的等效氧化层厚度大于第二部分(106)。由两种材料非对称栅极形成的非对称界面层有利于控制漏极一侧的短沟道效应，并避免源极一侧的载流子迁移率降低。此外，非对称栅极可以具有不同的功函数。 |
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