| 专利名称 | 校正等离子体发射谱线自吸收效应的方法 | 申请号 | CN200810229661.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101750404A | 公开（授权）日 | 2010.06.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院沈阳自动化研究所 | 发明（设计）人 | 于海斌;孙兰香;杨志家;郭前进;辛勇;丛智博 | 主分类号 | G01N21/73(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N21/73(2006.01)I | 专利有效期 | 校正等离子体发射谱线自吸收效应的方法 至校正等离子体发射谱线自吸收效应的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种校正等离子体发射谱线自吸收效应的方法，基于内参考线，通过计算谱线自吸收校正系数得校正后的等离子体发射谱线强度，具体：1)在被分析元素的等离子体发射谱线中选择自吸收校正系数值为1中的一条等离子体发射谱线作为内参考线；2)计算所有被分析元素的等离子体温度T；3)通过自吸收校正系数计算公式计算分析线的谱线自吸收校正系数；4)根据分析线的自吸收校正系数校正分析线的谱线强度；5)重复上述步骤，循环校正谱线强度，当分析线的自吸收校正系数达到设定精度时，获得最终校正后的等离子体发射谱线强度，至此完成自吸收效应的校正过程。通过本方法更准确地计算等离子体温度及更准确地进行物质成分的量化分析。 |
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